Размер шрифта Цветовая схема Изображения
/ / Эксперт: РФ нужно 8-10 лет, чтобы выйти на уровень интеллектуального суверенитета Германии - ТАСС
Эксперт: РФ нужно 8-10 лет, чтобы выйти на уровень интеллектуального суверенитета Германии - ТАСС
14 февраля 2023


Директор Федерального института промышленной собственности Олег Неретин считает, что рост количества заявок на охрану интеллектуальной собственности будет происходить, потому что Россия встала на путь импортозамещения, на создание своих технологических линеек.

России нужно 8-10 лет получать по 100 тыс. заявок на патенты в год, чтобы выйти на уровень интеллектуального суверенитета Германии. Об этом в ходе пресс-конференции в ТАСС рассказал директор Федерального института промышленной собственности (ФИПС) Олег Неретин.

"Чтобы по этому показателю, по интеллектуальному такому багажу и потенциалу достичь уровня Германии или Южной Кореи нам нужно получать в год примерно 100 тыс. заявок на изобретения примерно 8-10 лет подряд. Тогда мы как раз мы выйдем на уровень такого интеллектуального богатства, на уровень германии или Южной Кореи и будем приближаться к Японии", - сказал Неретин.

По его словам, рост количества заявок на охрану интеллектуальной собственности будет происходить, потому что Россия встала на путь импортозамещения, на создание своих технологических линеек. Сейчас ФИПС готовится принимать и обрабатывать большее число заявок. "Наличие такой готовности патентного ведомства к обработке такого большого количества заявок должно быть предусмотрено заранее. Это в том числе и работа в сотрудничестве с Евразийским патентным ведомством, потому что в данном случае совершенно неважно, где этот поток заявок будет рассматриваться. Важно то, что это будет охраняться на территории России", - добавил Неретин.

Евразийское патентное ведомство выдает патенты и защищает интеллектуальные права на всей территории Евразийского экономического союза. Создано и развивается в тесном сотрудничестве с Роспатентом. ФИПС - центр экспертизы изобретений для Роспатента и ЕАПВ.

Оригинал материала